电子技术练习

一、填空

16．PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位________________。 17．PN结加正偏导通，加反偏截止，称为PN结的________________性能。

18．某放大状态的晶体管，知β＝50，测得其IE＝2.04mA，忽略穿透电流，则其IB为________________mA。 19．在基本放大电路中，若负载电阻RL越大，则其电压放大倍数________________。

20．阻容耦合、变压器耦合和直接耦合三种放大电路，既能放大交流信号又能放大直流信号的是________________耦合放大电路。

23．三态门除了通常的逻辑“1”和逻辑“0”外，还有第三种状态，即是________________状态。 24．正弦波振荡器是用来产生一定频率和幅度的正弦信号的装置。只所以能输出信号，是因为电路满足了________________条件。

29.组合逻辑电路的输出状态仅决定于_________。

25．单相桥式整流电路中，流过每只整流二极管的平均电流是负载平均电流的___________。 17.将PN结的N区接电源的正极，P区接电源的负极，则为PN结的_______偏置。 18.多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要_______。

21.为使某放大电路的输入电阻提高，而且能稳定输出电流，则该放大电路应引入_______负反馈。 23.电路如题23图，则输出电压u0=_______V。

27.单相桥式整流电路输出平均电压为30V，则变压器副边的电压有效值为_______V。 28.正弦波振荡的相位平衡条件是_______。

1. 在单相桥式整流电路中，设变压器副边电压有效值为U2，若负载开路，则每只整流二极管承受的最高反向电压是_______。

2. 已知三极管的α=0.99，IE=3mA，则IC=_______。

?与输入电压U?相位_______，电压放大倍数近似等于1，且略小于1，故又3. 射级输出器的输出电压U0i称为射级跟随器。

4. 集成运放输入级是接收信号的，对它的要求是有较高的_______和很强的抑制零漂的能力。 5. 电路如图所示，则u0与ui的关系为_______。

10. 如图所示，波形为某逻辑门电路的输入A，B和输出F的波形图，可知该逻辑门的逻辑功能是_______。

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16.PN结反向偏置时，应该是N区的电位比P区的电位__________。 17.当温度升高时，半导体二极管的IRM将__________。

18.某放大状态的晶体三极管，当IB=20μA时，IC=1mA，当IB=60μA时，IC=3mA。则该管的电流放大系数β值为__________。

21.对32个字符编码最少需要__________位二进制数。 23.TTL与非门电路输入端悬空相当于接__________电平。 24.正弦波振荡器稳定振荡时的幅度平衡条件是__________。

19．基本共射放大电路，若使其偏置电阻RB增大(电路其他参数不变)，则ICQ将________。 20．要放大频率f=0.5Hz的正弦信号，应选用________耦合的放大电路。 2l．在共射放大电路中，若负载电阻RL愈大，则其电压放大倍数的值______。 23．要使放大电路的输入电阻小输出电阻增大，在放大电路中应引入______负反馈。 24．正弦波振荡器起振的幅值条件是________。

25．单相桥式整流电路输出平均电压为20V，负载RL=40Ω，则变压器副边电压有效值为______V。 28．逻辑函数F=A⊙B的与或表达式为________。 29．二进制数(1101.1011)2转换为八进制数为______。

17.将PN结的N区接电源的负极，P区接电源的正极，则为PN结的___________偏置。 18.某放大状态的三极管，知Ib=40μA, Ie=2.04mA，则其β为___________。 19.半导体三极管处在饱和状态时，e结和c结的偏置情况是___________。

20.两级放大电路，考虑到级间的相互影响后，知Au1=100，Au2=100，则两级总的电压放大倍数用分贝（dB）表示为___________dB。

23.三种组态的放大电路中，u0与ui相位相反的是共___________极放大电路。 24.产生正弦波振荡的幅值平衡条件是___________。 25.十进制数（56）10转换为二进制数为___________。 29.逻辑函数F=A?B，它的与或表达式F为___________。 16．稳压二极管稳压工作时，是工作在其特性曲线的_________区。

17．某放大状态晶体管，知IB=0.02mA,β=50，忽略其穿透电流，则IE=_________mA。

20．乙类互补对称功率放大电路存在交越失真，是由于晶体三极管的输入特性存在_________电压所引起。 21．TTL与非门电路多余输入端应接_________电平。

25．单相桥式整流电路输出平均电压为36V，则变压器付边电压有效值为_________V。 16．NPN型晶体三极管，发射结正偏时，应是发射极电位比基极电位________。 17．稳压二极管的动态电阻越________其稳压性能越好。

19．理想运放工作在线性区，流进集成运放的信号电流为零，称此为________。 20．乙类互补对称功率放大电路，理想情况下的效率为________。 21．TTL或非门电路多余输入端应接________电平。

25．单相桥式整流电路输出平均电压为36V，负载RL=36Ω，则流过整流二极管的平均电流为________A。 16．稳压二极管正常稳压工作是工作在其伏安特性曲线的___________区。

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18．负反馈有4种组态，若要求输入电阻低输出电压稳定，在放大电路中应引入___________负反馈。 19．阻容耦合，变压器耦合和直接耦合三种放大电路中，___________耦合的放大电路存在零点漂移。 20．单相桥式整流电路接电阻负载，已知变压器次级电压u2=14.1sinωtV，则输出电压平均值U0为___________V。

22．已知函数F=AB+AC+AB，其最简与非表达式为F=___________。

20.单相桥式整流电容滤波电路接正常负载，知变压器次级电压有效值U2=15V,则输出电压平均值U0为_________V。

18.交流负反馈有4种组态，若要求输入电阻高，输出电阻高，在放大电路中应引入_________负反馈组态。 16.二极管的反向电流IRM越小，说明二极管的_________性能越好。 二、选择

2.半导体三极管的特点是( )

A.输入电流控制输出电流 B.输入电压控制输出电压 C.输入电流控制输出电压 D.输入电压控制输出电流 3.图示电路，RF引入了( ) A.串联电流负反馈 B.串联电压负反馈 C.并联电压负反馈 D.正反馈

4.共模抑制比KCMRR是( ) A.差模输入信号与共模输入信号之比 B.输入量中差模成份与共模成份之比 C.差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比 D.交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)之比 5.与八进制数(573)８相等的十六进制数是( )

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